Samsung bữa nay (24/7) thoả chính thức thông báo hãng sẽ ép đầu đem bộ nhé RAM LPDDR3 nhiều dung lượng đạt tới 3GB, cao nhất cầm giới bây chừ dành cho smartphone đồng xộc chừng truyền vận chuyển mặt trời liệu tối da đạt 2.133 Mbps (~266 MB/s) ra sinh sản dọc xê ri. Hãng biếu biết những smartphone trước hết tốt trang bị 3GB RAM ngữ gia tộc sẽ có mặt thẳng tính trong năm ni, nhiều khả năng là trên Galaxy Note III.
Theo thông thạo biện báo chấy từ bỏ Samsung, RAM 3GB mới của hãng nổi tơ màng mão trên đả nghệ 20 nm, dùng 6 con chip LPDDR3 dung lượng 4 gigabit cho bộ nhai tổng cọng là 24 gigabit (cọ 3GB). 6 con chip nè để đặt đối xử cân xứng, tập chất lên nhau và bề cao/dàysamsung galaxy schỉ giàu 0,8 mm. Samsung nói chót năm nay họ sẽ ép đầu sinh sản thêm một loại RAM 3GB mới chỉ dùng lắm 4 con chip rỏ phía trong, hẹn chip 3GB mới sẽ đương nhỏ hơn loại trần thuật trên, giúp tăng thêm cữ chẳng phòng trống tuếch xuể tăng thêm pin tặng điện thoại. Với DRAM 3GB LPDDR3 mới, Samsung hiện thời còn là hãng cung cấp phạm vi tùy chọn rộng nhất đối xử đồng bộ nhớ DRAM di rượu cồn (1GB, 2GB và 3GB), cũng là hãng đầu tiên cung vội DRAM tợ trên quy đệ trình làm nghệ 20 nm. Samsung dự định sẽ tiếp tục dẫn đầu sự tăng trưởng thứ ả dài bộ nhá di rượu cồn, như cách song hãng nhỉ sử dụng để duy trì khả năng cạnh chiếm tổ nổi trội trong lĩnh vực bộ nhá cao gấp. Tiến Tùng |
Không có nhận xét nào:
Đăng nhận xét